上海科学技术指南[2025]第25号：由深层管理创新推广的发展策略，使用特殊总统根据第14五年的五年计划，用于建立具有全球影响的科学和技术创新中心，2025年应用程序指南的“综合巡回赛”项目的“综合基础计划”的“综合基础计划”（第二批次）。基于符合的光学：在智能I/O的高密度I/O计算机中心的需求之前，全硅质≥112GBP。缺陷状态对硅隧道和光子辅助的影响的吸收提高了光电转换的效率，并建立了硅的响应效果。多侧面字段。高速数据传输验证。实施期限：截至2027年9月30日，2025年10月1日。融资金额：固定利息融资。计划为每个项目提供100万元基金的项目支持项目。地址2：可见的通信光学互连研究目标：面对需要互连混合量子网络节点，与频率转换函数进行光学互连集成研究，在可见光和通信频段中实现转换和转换和小说，并正常于通信转换的效率。 ≤0.1MHz。研究内容：探索多纳斯汀肠在跨波段信息传输中的协同作用，优化单个光子的非线性耦合电阻，并调整不同频段之间光子转换的效率。优化光子芯片设计方法，以实现低元的光波导。设计和准备低噪声和高效率频率转换并探索应用程序路线。实施期限：截至2027年9月30日，2025年10月1日。资金：固定收益数量。计划为每个项目提供100万元基金的项目支持项目。地址3：芯片中的多维多维光子处理研究对象：高速互连通信需求，高速高速度高速标记信号信号处理，以实现接收和可重建信号的高速和高速速度高速宽度。模拟带宽≥40GHz包含两个或多个重建函数。研究内容：光子的多维信号相互作用理论，研究临时串联信号的重建方法，用于多维多路复用，并开发完美的高速信号接收设计和处理架构。光学和维护采样研究，重建多功能矩阵，宽带矩阵和其他内容均衡。实现高速信号接收和多维光子的处理系统。实施期限：截至2027年9月30日，2025年10月1日。融资金额：固定利息融资。计划为每个项目提供100万元基金的项目支持项目。地址4：高性能光学放大的光学机制研究目标：鉴于对相干沟通，光学检测，光学交换和其他方向进行光学放大的迫切需求，我们将对芯片键入光学芯片的光学扩增机制进行研究，以获得25 d d db带的净功能的光学扩增。 NF 4DB和光学芯片放大器的掺杂后的波浪指南损失为0.2db/cm。研究内容：由多额外影响的光波指南放大的理论模型Actorial耦合，高浓度的共同兴奋剂和长时间的OSSUANCE研究了生命的实施方法，并阐明了抑制抑制抑制光发射的机制。我们研究了波导指南的横向折射指数工程，建立了用于分布光场的调节模型，并证明了增益的效率。优化光波指南放大器的制备方法，以实现高功率和大型放大带宽输出。实施期限：截至2027年9月30日，2025年10月1日。融资金额：固定利息融资。计划为每个项目提供100万元基金的项目支持项目。地址5：高尺寸多通道光子的加速研究目标：为了满足优化问题与人工智能相结合的应用的需求，我们将执行一个新的Foton Acceleration研究IS，我们将建立ISINA原理的原型Isina多尺寸的多范围。最大旋转量表必须高于500,000，而哈密顿计算的精度小于1％。最大渠道数量大于50，相对能量消耗量增加低于50％。研究内容：探索ISIN旋转量表和研究方法的扩展机制，以提高哈密顿量的计算精度。我们探讨了光子系统的高维多路复用方法，并研究了多通道和高通道范围的哈密顿光电子的检测。结合快速电子控制反馈，为典型NP问题的ISIN模型完成了快速解决方案。实施期限：截至2027年9月30日，2025年10月1日。融资金额：固定利息融资。计划在每个项目中以100万元的资金支持Proyectos。地址6：针对大型生成智能的完全光学智能处理的研究和研究目标NCE：响应智能大规模生成任务的计算能力的紧急需求，进行了所有光学智能处理研究，对大型生成神经元网络进行了智能处理研究，并使用500 x 400 x 400 x 400 x 400和3个构造构建光学芯片的样本。芯片中整体神经元的数量必须为200万。结束芯片功率的实际计算机（包括光源，输入，检测等）超过200 exa-op。产生的最大信号 /噪声比是上部深神经网络，例如传播。测量工作水平。并实现了伟大模型的显着加速。研究内容：研究生成任务的面向典型的cyerations，揭示了生成智能任务的光领域的特性，为特征的映射构建物理模型并创建培训算法。建立异质综合光场t的异质模型o将集成在数百万光学神经元的芯片中的包装。它可以实现光学计算机芯片的结构，大规模生成任务的传输和实验验证。实施期限：截至2027年9月30日，2025年10月1日。融资金额：固定利息融资。计划为每个项目提供100万元基金的项目支持项目。地址7：几何阶段研究研究目标硅光学整合方法：诸如综合计算机系统的带宽，栏的特征，Cethey的重建可能性高质量，通过限制了波长的敏感性以及在动态阶段的敏感性和高度制造过程中的限制，并在动态阶段进行了整合的动态阶段，并在动态阶段进行了动态化的阶段，并且在动态阶段进行了统一的动态阶段，并在进行了常规阶段，并在动态阶段进行了代理，并在动态阶段进行了统一。硅的硅性硅质的整合硅的整合E集成。几何阶段。操作带宽必须大于100 nm，几何拓扑顺序≥6个顺序，保真度必须为0.95。根据硅光学相变材料的整合，动态非挥发性可调式位数位计数≥3位计数≥3位，以实现高阶几何相。研究内容：硅光学整合的非ABEL几何相操作，建立几何相分析模型，该模型阐明了几何相位光相整合设备的高C频带高级别和高强度Ontenido。研究硅兼容的硅相变的材料整合方法与硅后通道过程，并动态地对几何阶段进行动态控制的几何阶段。实施期限：截至2027年9月30日，2025年10月1日。融资金额：固定利息融资。它计划支持100万YUA的项目n个项目的资金。地址8：基于Ultra-Bajo Silicon光子硅的神经网络信息网络的研究目标：基于可编程硅的光子计算机线，用于低能消耗和智能计算机设备的智能计算机设备的强大噪声抗性，并在光学电视体系结构上进行现场培训架构的研究，以实现基于硅网络的nair网络的光学电力架构。基于多光子关联的独特权重乘法操作的光子的消耗必须为0.05光子。芯片训练抵抗了噪声信号 /噪声比≤5dB。非线性特征的空间调整误差为10％。研究内容：研究光子数字状态在重建光网络中的相关性的演变，开发了一种集成了时间和数字反馈光子光子光子统计测量的现场训练机制，以及构建非线性映射模型多核相关性能和神经网络的特征的特征。将光子源矩阵与芯片中的芯片集成在一起，可与可编程的多型干扰结构，光学神经元网络芯片在处理和加工能力方面具有子点的消耗量，请验证智能边缘场景中超低能量消耗的光学计算能力。实施期限：截至2027年9月30日，2025年10月1日。融资金额：固定利息融资。计划为每个项目提供100万元基金的项目支持项目。地址9：基于硅光学技术的大尺度光晶型坦加姆研究的研究目标：光学量子计算的可伸缩性，大型光化学缠结的大型光学缠结的准备，基于光学硅技术的调节研究是为实现大尺度复杂性条件大致的大致硅技术的。芯片的最大压缩。研究内容：基于集成的光学量子平台的群集状态的研究纠结机制连续大型变量，研究了隔行状态的测量效率的因素，并探索了重建高根的新原则和新的原则。开发高骨数，减少量子压缩源和可编程线性光网络，探索量子计算，量子传送等领域的可扩展解决方案。实施期限：2025年10月1日至2027年9月30日。地址10：芯片中的超连续光谱源及其确切的监管研究目标：针对芯片中超级带频带的光谱源的光谱和光学指标的指向：不考虑一般的分散和当地分配的问题，并在高处进行了调查。管理a具有超电压产量的光谱光源。研究内容：调查分散调整方法渗透维波指南结构，并研究一般和局部波指南在高度连续光谱的产生中的机制。完成超前光谱起源的芯片的设计和制备，到达超宽度的光谱覆盖范围以及原子吸收和中间红外波长的局部光谱改善。在诸如光谱，光学测量以及基于芯片中超连续光谱源等领域的应用中进行演示。实施期限：2025年10月1日至2027年9月30日。地址11：基于硅的集成光子调节目标：对于在空间的光学通信中分辨出大角度和高极的需求，生物医学图像，生物医学图像的生物医学图像e Intemented设备NTEGRADUTER设备级别集成设备级别级别级别级别级别级别级别级别级别级别级别级别级别级别级别级别级别级别光盘≥12dB。检测器≥140°视图和角度分辨率≤10°。研究内容：探索基于硅的光学光子设备的光学调制和耦合理论，开发数值计算方法，并研究了固化纳米冲刺膜光子设备光子的调节。优化设备的准备过程，以实现晶圆级别的高性能光子设备的设计和制备。探索基于集成的光子设备的多维光学信息和调制方法，以基于高角度硅胶和高硅分辨率实现垂直集成的照片词组。实施期限：截至2027年9月30日，2025年10月1日。融资金额：固定利息Financing。计划为每个项目提供100万元基金的项目支持项目。主题2。频带半导体局超宽度和超宽度地址1：研究和监测氮化壳单个晶体高温和高压生长过程以及反应堆研究目标的损害监测：执行物理和化学发育操作，以进行物理和化学动物行为，以对胆汁氮的个体晶体的进化进行物理和化学动物行为进行监测。 CA的不可限制的耦合和警告模型以及对板体的损坏，单玻璃缺陷的密度为≤5000cm-2。研究内容：建立多种源的感知方法和系统，用于氨的热生长过程和氮化炮的独特晶体反应器。我们研究了水壶水壶的温度压力介质的链接和结合的机制，以研究ExtrEME的工作条件对brissy brissary机构的损害。设定一个不稳定的预警模型，以平衡高质量个体晶体的增长过程。实施期限：截至2027年9月30日，2025年10月1日。融资金额：非改装融资，项目将兼容，每个融资不得超过300万元。 Address 2: Silicon carbide energy interface and research energy target adjustment and research targetDouble level defect prevention: For performance and reliability problems, such as the drift of threshold voltage, dynamic resistance decomposition of the resistance band, caused by double level defects in silicon carbide feeding devices, we establish the investigation of the structural energy band between the energy band and the interface density density density density density density density density density密度密度密度密度密度密度密度密度密度密度密度密度降低密度的目标硅碳碳状态的界面按顺序排列。研究内容：研究血浆原位和高K介质之间补偿的碳化硅能带的协调调节机制，探索抑制界面驱动器缺陷的方法，并阐明抑制抑制抑制剂抑制抑制剂的抑制剂和硅质硅的抑制剂的机制界面和附近的收缩抑制剂以及表面抑制剂的结合抑制剂和抑制剂的抑制剂，抑制剂的抑制剂抑制剂的抑制剂抑制剂的抑制剂抑制剂抑制剂抑制剂抑制剂抑制剂抑制剂附近表面吸入和附近抑制剂在界面和近乎叶间构焦抑制剂和表面抑制剂中的抑制剂。实施期限：截至2027年9月30日，2025年10月1日。融资金额：固定利息融资。计划支持Proj每个项目都有100万元基金的ECT。地址3：关于氧化韧带的准二粒性能的研究和研究：同质P-N结合材料：考虑到能量和能量场中氧化韧带的功率和照片设备，我们对氧化甲壳的综合膜进行了研究，以实现环境温度温度温度的浓度，浓度为1016/cm3，以达到环境温度的浓度。 ≥1NS，掺入电势≥4.2EV。自我捕食模式深紫外检测≥1016琼斯。研究内容：准备氧化；我们将研究联合电容，电阻电压和反倒塌的耗尽和传播的特征。调查均匀的紫外线紫外线检测均匀氧化物的光骨骼检测。实施期限：截至9月1日，2025年10月1日ER 30，2027。融资金额：未修改的融资，一个项目将是兼容的，每个融资不得超过RMB3毫米。方向4：钝化钻石表面和欧姆接触研究目标：面对对钻石高功率设备的下一代电力电子设备的需求，我们研究了重要的内容，例如物理性能调整，介电沉积，钻石设备的ohm接触，状态≤5×1012ev-1cm-2的量1012EV-1CM-2，状态设备接口的密度。光吞噬表面≤5×10-4Ω的接触电阻。研究详细信息：我们将发现控制钻石设备物理特性的机制，并探索界面碳群和高化学惯性的协同作用。我们开发了硝基罗罗纳米斯卡氏菌的介电门的方法。我们已经开发了一种低阻力欧姆接触方法，用于钻石表面轻微Lydopadas并通过原型设备的验证。实施期限：截至2027年9月30日，2025年10月1日。融资金额：非改装融资，项目将兼容，每个融资不得超过300万元。地址5：研究和研究目标：解决热挥舞性行为诱导性诱导性耗散耗散的直径的高功率半导体设备的整体需求，导热率≥1600W/m・k，carriovility≥100cm2/v。研究内容：开发综合方法和处理多维整合钻石材料的发音，解释钻石形式的机制以及合成中性能的产生或演变和主要处理技术的产生或演变，研究了合成和关键处理设备的直接设计方法，并优化了合成和处理方法的方法。实施期：截至2027年9月30日，2025年10月1日。融资金额：固定利息融资。计划为每个项目提供100万元基金的项目支持项目。主题3。集成电路材料地址1：基于替代共聚物研究目标的高级过程图形材料：对材料设计，合成和精细结构覆盖的多个量表进行调查，重点是高级微纳米处理需求，以实现结构精确和相位控制高性能图形材料的相位控制。设计具有精确结构和可调节链段配置的两种或多种类型的共聚物材料，开发新的有效且可控的合成方法，在超过1 mm2的区域中形成周期性的低5NM结构，研究结构的进化定律，并建立两个或更多模型的拓扑结构控制。研究内容：我们研究了各种环境条件下的图形结构结构和交替共聚物阶段的行为调节，l作为溶液，界面和固体处理中交替共聚物的自组装的行为，并阐明了热/溶剂处理在扩展不同链段关系，分子量，分子量和分子量和结构的影响方面的影响机制。我们探讨了替代共聚物的受控相分离的定律，并揭示了材料结构演化的途径。实施期限：截至2027年9月30日，2025年10月1日。融资金额：非改装融资，项目将兼容，每个融资不得超过300万元。地址2：基于弱相互作用机制的深纯化机制的研究和研究目标：考虑到对综合电路过程中特殊电子试剂的超清洁和高纯度的需求ZE研究在深纯化过程中纯化培养基并净化培养基的复杂机制。试剂；水分含量≤50ppm，颗粒（d≥50nm）≤10/ml;平均纯化裂解恢复≤100ppt。研究内容：探索深度纯化平均值制备的一般方法，并研究培养基和液态状态中岩石成分的复杂组件的相互作用机制较弱的相互作用机制和移民途径。我们开发了电子特殊试剂的深纯化成分，并根据多组分液体之间的弱相互作用机制研究了深度纯化的多个行为缩放的调节机制。实施期限：截至2027年9月30日，2025年10月1日。融资金额：固定利息融资。计划为每个项目提供100万元基金的项目支持项目。地址3：高介电的恒定前体的研究和研究目标用于整数制造额定电路：考虑到对新的高衍生门电介质材料的需求，对合成反应的分子和动力学结构进行了分析；杂质≤20ppm;在10,000脉冲≤10％之后，进行了前体材料的稳定性研究并实现了平均沉积率的变化；当构建薄膜沉积模拟模型时，膜沉积增长率的计算准确性将达到90％以上。研究内容：基于协调化学和动力学模型，实现了尼比奥前体合成分子结构的精确调节。开发特定的纯化途径并研究痕迹杂质的深层消除方法。基于原子层沉积的方法，膜形成的动态模型，以及影响原子层沉积过程的参数的机理，以生长速率，微结构D系统地研究了基于Niobio的高导数恒定膜的关键性能。实施期限：截至2027年9月30日，2025年10月1日。融资金额：非改装融资，项目将兼容，每个融资不得超过300万元。方向4：基于高密度玻璃的基于深玻璃的冷凝器的康德的研究和研究机制介质，这些冷凝器的需求考虑了将高密度电容器整合到高级玻璃包装中的需求，对玻璃底玻璃槽深沟的高密度电容的组装机制进行了研究，将玻璃基本玻璃基础玻璃的基础玻璃基础玻璃制成玻璃基础玻璃玻璃玻璃制成。基于玻璃金属。覆盖率关系≥90％，冷凝器密度300NF/mm2。研究内容：高介电原子层沉积的研究方法。实施期：截至9月30日，2025年10月1日，2027年。融资金额：固定利息融资。计划为每个项目提供100万元基金的项目支持项目。地址5：研究与研究目标：面对高带和低潜伏期记忆的新需求，我们对具有开关和存储能力的基于硫的阈值过渡开关和存储材料进行研究，阐明了基于硫和存储材料的阈值过渡开关的非线性开关和存储机制。它根据基于新的基于硫的化合物的原型设备实现了原型设备，其存储延迟≤20NS设备，电阻率超过1000，并且周期的使用寿命超过107倍。意识到基于跨性别的阈值和晶状体中累积材料的沉积，从而达到了膜≤5％的非均匀性，成分≤5％的不均匀性和粒子缺陷（120 nm）≤200。研究内容：我们研究阈值的极性效应机制基于硫和存储材料的过渡开关，揭示了不同极性电场作用下材料微观结构的动态演化。我们将根据硫和存储材料来解释阈值过渡开关的阈值电压推导机制，我们将根据硫和存储材料进行基于硫和存储材料的阈值过渡开关的微型化效果的研究，并探索基于基于Sulfur存储的阈值转换开关的原型制备计划。实施期限：截至2027年9月30日，2025年10月1日。融资金额：固定利息融资。计划为每个项目提供100万元基金的项目支持项目。 2。除了遵守上面提到的相应条件外，申请要求还必须满足以下要求：1。项目申请单位必须是在城市内注册的公司或非成立组织D有能力组织项目的实施。 2。前任地方政府或其他新提议的项目的财务基础，基于科学技术部等融资项目，当然，州议会，科学的基础，必须清楚地解释了继承和发展的两个关系与发展之间的相似性和差异。 3。所有申请人和项目参与者都必须满足管理科学研究完整性的要求。项目负责人必须承诺介绍的材料的可靠性。申请人必须负责申请人的申请资格并验证申请材料的可靠性和完整性。他们不应发送具有机密内容的项目请求。 4。如果将申请从专家避免到申请项目，则该应用程序单位必须加载专家列表，并在发送项目时拒绝专家的理由可行性计划。 5。所有申请人和项目参与者都必须遵守科学和技术道德标准。拟议的科学和技术活动必须对科学和技术道德风险进行评估。如果“技术伦理学审查措施（司法）”科学技术部第2条中列出的科学和技术活动（Guekefajian [2023] No. 167），则必须根据需要进行科学和技术伦理学的审查。 6。所有申请人和项目参与者都必须遵守有关人类遗传资源和法规的管理法规，该法规与致病微生物学研究所的管理有关。 7.那些根据对城市科学技术委员会科学技术计划进行调查进行了两个或更多项目的人将不适用于项目领导者。 8。项目融资预算的准备是真实的，R合理，必须满足城市科学技术委员会科学技术计划的管理的相关要求。 9。每个研究地址仅限于同一单元中的一个元素。 3。应用程序方法1。项目应用程序采用AONLINE应用程序方法，并且不需要发送纸质材料。通过“上海科学和技术管理信息系统”（svc.stcsm.sh.gov.cn）输入“项目的应用”，然后输入“在线申请”在线使用申请单元的评论并发送在线内容。 [首先填写]使用“一站式服务”登录（如果您尚未注册您的帐户，则可以首先将其传输到“一站式服务”注册帐户以完成您的记录），输入申请指南的页面，然后单击相应的指南主题以应用于项目。 [继续填充]登录“一站式服务”后，继续完成您的项目。要获取有关操作的信息，请参见在线援助。 2。该项目在线的开始时间将为2025年8月13日9:00，以及2025年11月1日的截止日期（包括申请单元的审查和发送）是2025年9月1日。5。在项目实施期间，在实施“英里品牌管理”管理的情况下，以验证项目的实施，以验证项目的实施并确定该项目的进展，或者验证项目的实施并结束项目的实施并结束。 6。直接咨询电话服务线：8008205114（固定固定），4008205114（移动电话）上海科学技术委员会2025年8月5日
